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MOSFET

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快恢復(fù)模塊
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SiC肖特基二極管單管
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SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
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STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
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6寸晶圓

TSBD芯片
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產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT微溝槽單管產(chǎn)品——光儲(chǔ)充新能源應(yīng)用

IGBT微溝槽單管產(chǎn)品——光儲(chǔ)充新能源應(yīng)用 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1、TO-247封裝50A 650V IGBT單管；
2、電壓等級(jí)為650V，電流等級(jí)為50A@Tc=100℃；
3、主要用于光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用；
4、低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗，高可靠性；
5、采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、最高結(jié)溫Tjmax=175℃;
2、正溫度系數(shù)；
3、具有650V的高耐壓；
4、低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗，滿足高頻應(yīng)用條件；
5、最新一代微溝槽芯片設(shè)計(jì)方案，更具性價(jià)比的選擇；

規(guī)格書

DGW50N65CTL0

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