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小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
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快恢復(fù)二極管
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超快恢復(fù)二極管
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整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
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靜電保護(hù)二極管
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單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

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汽車電子小信號(hào)
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MOSFET

ALL MOSFET
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高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

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N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

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快恢復(fù)模塊
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SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
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8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
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產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT高頻系列C1模塊

IGBT高頻系列C1模塊 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.IGBT高頻系列產(chǎn)品主要有C1（34mm）封裝外形；
2.電壓等級(jí)為650V，電流涵蓋100A~200A；
3.產(chǎn)品主要用于工業(yè)焊機(jī)、高頻電源、UPS等高頻應(yīng)用領(lǐng)域；
4.相關(guān)系列產(chǎn)品與市場(chǎng)主流產(chǎn)品完全pintopin替代應(yīng)用；
5.IGBT產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.最高結(jié)溫Tjmax=175℃；
2.低關(guān)斷損耗，適合高頻應(yīng)用；
3.具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管；
4.具有高短路支撐電流能力（6us以上）；
5.使用DBC結(jié)構(gòu)的絕緣性散熱底板；

規(guī)格書

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