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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
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快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
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功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
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IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
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汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
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靜電保護二極管
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可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
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TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT 中低頻系列C3模塊

IGBT 中低頻系列C3模塊 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1、IGBT高頻系列產(chǎn)品主要有C3（45mm）封裝外形；
2、電壓等級為1200V，電流涵蓋150A~200A；
3、產(chǎn)品主要用于變頻器，伺服等高頻應(yīng)用領(lǐng)域；
4、相關(guān)系列產(chǎn)品與市場主流產(chǎn)品完全pin to pin替代應(yīng)用；
5、IGBT產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；

產(chǎn)品特點 1、最高結(jié)溫Tjmax=175℃;
2、低Vce(sat)，適合中低頻應(yīng)用；
3、具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管；
4、具有高短路支撐電流能力（10us以上）；
5、使用DBC結(jié)構(gòu)的絕緣性散熱底板；

規(guī)格書

IGBT-中低頻系列C3模塊

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